产品概览
- 产品型号
- 150-501N04A-00
- 现有数量
- 120
- 产品描述
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 500V 4A N Channel MOSFET Transistor
文档与媒体
- 数据列表
- 150-501N04A-00
产品详情
- Id-连续漏极电流 :
- 4.5 A
- Rds On-漏源导通电阻 :
- 1.2 Ohms
- Vds-漏源极击穿电压 :
- 500 V
- 安装风格 :
- SMD/SMT
- 封装 :
- Tube
- 封装 / 箱体 :
- SMD-6
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 175 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 输出功率 :
- 200 W
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