文档与媒体
- 数据列表
- IFN410
产品详情
- Pd-功率耗散 :
- 375 mW
- Vgs-栅源极击穿电压 :
- - 40 V
- Vgs=0时的漏-源电流 :
- 5 MA
- 安装风格 :
- Through Hole
- 封装 :
- Bulk
- 封装 / 箱体 :
- TO-71-6
- 技术 :
- SI
- 晶体管极性 :
- N-Channel
- 最大工作温度 :
- + 125 C
- 最小工作温度 :
- - 55 C
- 系列 :
- IFN411
- 配置 :
- Dual
热销型号
热门分类
热销品牌
